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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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阈值电压：4V @ 250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
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类型：N 通道
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栅极电荷：90 nC @ 10 V
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输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
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功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
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功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDD86540
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功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
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输入电容：6340 pF @ 30 V
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类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
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类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），83W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
输入电容：6120 pF @ 15 V
连续漏极电流：26A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），83W（Tc）
阈值电压：3V @ 1mA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
输入电容：6120 pF @ 15 V
连续漏极电流：26A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2.5W（Ta），83W（Tc）
漏源电压：30V
导通电阻：2.4 毫欧 @ 25A，10V
栅极电荷：90 nC @ 10 V
输入电容：6120 pF @ 15 V
阈值电压：3V @ 1mA
连续漏极电流：26A（Ta），42A（Tc）
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
