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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500，"18+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806NAT4G
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：300，"14+"：11700，"15+"：34050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：300，"14+"：11700，"15+"：34050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7725}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806NA-1G
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD4806NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：7725}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806NA-1G
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：298，"09+"：1500，"11+"：227，"13+"：2500，"14+"：16391，"16+"：22542，"18+"：39}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：298，"09+"：1500，"11+"：227，"13+"：2500，"14+"：16391，"16+"：22542，"18+"：39}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：641，"16+"：129500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4503NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：930mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@16V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@14A，10V
漏源电压：28V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：2500，"18+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4806NAT4G
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2142pF@12V
连续漏极电流：11.3A€79A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC608PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@5.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
