采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7664
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€45W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4865pF@15V
连续漏极电流：18.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2573，"21+"：974，"22+"：8117，"23+"：21000，"MI+"：5270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2573，"21+"：974，"22+"：8117，"23+"：21000，"MI+"：5270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2573，"21+"：974，"22+"：8117，"23+"：21000，"MI+"：5270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7664
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€45W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4865pF@15V
连续漏极电流：18.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@18.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2488}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMT061N60S5F
工作温度：-55℃~150℃
功率：255W
阈值电压：4.8V@4.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4175pF@400V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：61mΩ@20.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8813NZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4145pF@15V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2573，"21+"：974，"22+"：8117，"23+"：21000，"MI+"：5270}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7660DC
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W€78W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：76nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.17nF@15V
连续漏极电流：30A€40A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@22A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
