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    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D0N12C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€106W

    阈值电压:4V@370A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@60V

    连续漏极电流:18.5A€114A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@67A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:41A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60 起订112个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60 起订112个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":689}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP104N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4165pF@380V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP104N60 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":689}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP104N60

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4165pF@380V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:104mΩ@18.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€115W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:43A€241A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5862NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5862NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5862NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:41A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS4C302NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€115W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:43A€241A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C420NWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€150W

    阈值电压:4V@200µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@20V

    连续漏极电流:43A€268A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5862NG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5862NG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5862NG

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT064N65S3H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT064N65S3H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT064N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260W

    阈值电压:4V@3.9mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3745pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBL070N65S3 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBL070N65S3 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":8877}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBL070N65S3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    输入电容:3.3nF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@22A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:41A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5862NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5862NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5862NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:98A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.7mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4C302NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€96W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5780pF@15V

    连续漏极电流:41A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D0N12C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€106W

    阈值电压:4V@370A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@60V

    连续漏极电流:18.5A€114A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@67A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT064N65S3H 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMT064N65S3H 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMT064N65S3H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260W

    阈值电压:4V@3.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3745pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订400个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订400个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5306,"23+":27000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D0N12C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€106W

    阈值电压:4V@370A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@60V

    连续漏极电流:18.5A€114A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@67A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3,"22+":54420,"MI+":6400}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS4D0N12C 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":5306,"23+":27000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS4D0N12C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€106W

    阈值电压:4V@370A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6460pF@60V

    连续漏极电流:18.5A€114A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@67A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB072N65S3 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB072N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:312W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@24A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N25 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDA59N25 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA59N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:392W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4020pF@25V

    连续漏极电流:59A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@29.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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