品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
阈值电压:4V@370A
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@60V
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":689}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP104N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4165pF@380V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:104mΩ@18.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€115W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:43A€241A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5862NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€115W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:43A€241A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C420NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€150W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@20V
连续漏极电流:43A€268A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":1700}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5862NG
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8877}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBL070N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
输入电容:3.3nF@400V
连续漏极电流:44A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5862NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:115W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:98A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C302NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€96W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5780pF@15V
连续漏极电流:41A€230A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
阈值电压:4V@370A
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@60V
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5306,"23+":27000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
阈值电压:4V@370A
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@60V
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3,"22+":54420,"MI+":6400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":5306,"23+":27000,"MI+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS4D0N12C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€106W
阈值电压:4V@370A
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6460pF@60V
连续漏极电流:18.5A€114A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@67A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB072N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@1mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@24A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:392W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@29.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: