采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS001N06CTXG
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€244W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8705pF@30V
连续漏极电流：53.7A€376A
类型：N沟道
导通电阻：0.91mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8295pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：6952，"MI+"：970}
规格型号(MPN)：FDB0300N1007L
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@26A，10V
输入电容：8295pF@50V
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€250W
栅极电荷：113nC@10V
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
