采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€187W
阈值电压：2.2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@15V
连续漏极电流：59A€409A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€187W
阈值电压：2.2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@15V
连续漏极电流：59A€409A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2.2V@280µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@15V
连续漏极电流：59A€409A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@15V
连续漏极电流：59A€409A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@15V
连续漏极电流：59A€409A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€187W
阈值电压：2.2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@15V
连续漏极电流：59A€409A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€187W
阈值电压：2.2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@15V
连续漏极电流：59A€409A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W€187W
阈值电压：2.2V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12300pF@15V
连续漏极电流：59A€409A
类型：N沟道
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS0D7N03CGT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：0.65mΩ@30A，10V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@280µA
栅极电荷：147nC@10V
输入电容：12300pF@15V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：59A€409A
功率：4W€187W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：43.5A€337A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：43.5A€337A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMTS1D2N08H
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€300W
阈值电压：4V@590µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：147nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10100pF@40V
连续漏极电流：41A€335A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMTS1D2N08H
包装方式：卷带（TR）
功率：5W€300W
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@90A，10V
漏源电压：80V
连续漏极电流：43.5A€337A
输入电容：10100pF@40V
栅极电荷：147nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@590µA
包装清单：商品主体 * 1
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