品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":69000,"21+":13590,"22+":3147312,"MC+":3000,"MI+":213000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8588
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€26W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@13V
连续漏极电流:16.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6353-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6353-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C658NLWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:114W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1935pF@25V
连续漏极电流:109A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:600mV@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810NHT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@12V
连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8588
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€26W
阈值电压:1.8V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1228pF@13V
连续漏极电流:16.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6353-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6353-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@6V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":16346,"08+":15000,"10+":315000,"11+":189000,"14+":3000,"16+":27000,"17+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHS5443T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:600mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.6A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC637BNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:895pF@10V
连续漏极电流:6.2A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":590,"08+":3075}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810NH-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@12V
连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: