采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1000，"08+"：149685，"09+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4744NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ371PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8588A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€26W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@13V
连续漏极电流：16.5A€40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@17A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4744NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1393}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4841NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW€41.7W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1436pF@12V
连续漏极电流：8.3A€57A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4744NT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：1000，"08+"：149685，"09+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4744NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW€47.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@12V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8588A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€26W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@13V
连续漏极电流：16.5A€40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@17A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8588A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€26W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1720pF@13V
连续漏极电流：16.5A€40A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@17A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ371PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@10V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDZ371PZ
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：17nC@4.5V
类型：P沟道
连续漏极电流：3.7A
阈值电压：1V@250µA
输入电容：1000pF@10V
漏源电压：20V
导通电阻：75mΩ@2A，4.5V
功率：1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
栅极电荷：17nC@4.5V
功率：500mW
类型：P沟道
输入电容：1138pF@6V
漏源电压：12V
阈值电压：1.5V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN306P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：17nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1138pF@6V
连续漏极电流：2.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
