品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
阈值电压:2V@135µA
功率:3.7W€110W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2V@140µA
类型:N沟道
漏源电压:80V
连续漏极电流:20A€110A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
输入电容:2900pF@40V
ECCN:EAR99
导通电阻:4mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
阈值电压:2V@135µA
功率:3.7W€110W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
阈值电压:2V@135µA
功率:3.7W€110W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8796
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2610pF@13V
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
功率:88W
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FCB11N60TM
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
栅极电荷:52nC@10V
功率:125W
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:21A
输入电容:3165pF@15V
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86569-F085
输入电容:2520pF@30V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:90A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:150A
输入电容:3600pF@25V
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:52nC@10V
阈值电压:2V@135µA
功率:3.7W€110W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8026S
功率:2.4W€36W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
阈值电压:3V@1mA
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
连续漏极电流:19A€21A
栅极电荷:52nC@10V
输入电容:3165pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FCPF11N60
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
功率:36W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
输入电容:1490pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2633}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H824NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2900pF@40V
连续漏极电流:20A€110A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2935}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@15V
连续漏极电流:19A€21A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60F
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF11N60T
工作温度:-55℃~150℃
功率:36W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C628NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":7,"19+":1752,"20+":272367,"MI+":7200}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB11N60TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C628NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€110W
阈值电压:2V@135µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3600pF@25V
连续漏极电流:28A€150A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: