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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 37nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280pF@15V

    连续漏极电流:19A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280pF@15V

    连续漏极电流:19A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9510L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2020pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86250-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS10N7D2C 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2008}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS10N7D2C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2635pF@50V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@28A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF55N06 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":900,"22+":88398,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF55N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1510pF@25V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB011N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€136.4W

    阈值电压:4.5V@223µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2810pF@75V

    连续漏极电流:12.5A€75.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@41A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280pF@15V

    连续漏极电流:19A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB011N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€136.4W

    阈值电压:4.5V@223µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2810pF@75V

    连续漏极电流:12.5A€75.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@41A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":1063,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280pF@15V

    连续漏极电流:19A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0310AS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0310AS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€41W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2280pF@15V

    连续漏极电流:19A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB011N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€136.4W

    阈值电压:4.5V@223µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2810pF@75V

    连续漏极电流:12.5A€75.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@41A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB011N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€136.4W

    阈值电压:4.5V@223µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2810pF@75V

    连续漏极电流:12.5A€75.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@41A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":730}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB011N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€136.4W

    阈值电压:4.5V@223µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2810pF@75V

    连续漏极电流:12.5A€75.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@41A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS3672 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2015pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB011N15MC 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB011N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€136.4W

    阈值电压:4.5V@223µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2810pF@75V

    连续漏极电流:12.5A€75.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@41A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD10AN06A0 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD10AN06A0

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@25V

    连续漏极电流:11A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86250-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86250-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@75V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9510L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2020pF@20V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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