采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：533980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4N02FT1
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：533980}
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：903，"06+"：222917，"08+"：7649，"09+"：6000，"9999"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4N02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：903，"06+"：222917，"08+"：7649，"09+"：6000，"9999"：750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4N02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHD4N02FT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：910mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：2.9A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：EMH2801-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：2.2V@20μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：2个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C470NLT1G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4nC@4.5V
输入电容：590pF@25V
漏源电压：40V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：36A
功率：28W
导通电阻：9.2mΩ@10V，5A
反向传输电容：8pF@25V
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
阈值电压：2.2V@20μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
