品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB38N30U
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
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栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":8556,"21+":4806,"22+":2037,"23+":2240,"MI+":2835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":18594}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3821-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€65W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:散装
输入电容:4200pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2102}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8670S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@15V
连续漏极电流:20A€42A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB38N30U
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB38N30U
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS003N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N003C
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€125W
阈值电压:4V@310µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5350pF@40V
连续漏极电流:22A€147A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@56A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2102}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8670S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@15V
连续漏极电流:20A€42A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: