采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道
导通电阻：900mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3155CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道
导通电阻：900mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：150pF@16V
功率：250mW
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：2.5nC@4.5V
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
阈值电压：1V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：540mA€430mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
