品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":11278,"MI+":15120}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQU2N50BTU-WS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:N沟道
导通电阻:5.3Ω@800mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQT3P20TF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:670mA
类型:P沟道
导通电阻:2.7Ω@335mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
功率:640mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:400pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C478NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF5N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:28W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:700pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@2.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3N50NZTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.25A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:640mW
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: