采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：680，"21+"：146，"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：648，"18+"：3152，"22+"：36800，"MI+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9406-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7710pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：680，"21+"：146，"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS0D4N04XMT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：197W
阈值电压：3.5V@330µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8550pF@25V
连续漏极电流：519A
类型：N沟道
导通电阻：0.42mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP047AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：680，"21+"：146，"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
