采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDT458P
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功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
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规格型号(MPN)：FDT458P
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功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：FDT458P
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功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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功率：3W
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栅极电荷：3.5nC@10V
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输入电容：205pF@15V
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类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：FDT458P
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功率：3W
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栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：FDT458P
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功率：3W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
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输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6870，"22+"：3614，"23+"：4960}
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规格型号(MPN)：FDT458P
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ECCN：EAR99
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输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
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功率：3W
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栅极电荷：3.5nC@10V
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输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
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连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
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功率：3W
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连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
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功率：3W
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输入电容：205pF@15V
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类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT458P
连续漏极电流：3.4A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：3.4A
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功率：3W
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连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
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销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
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栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@15V
连续漏极电流：3.4A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@3.4A，10V
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