品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30000,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30000,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGS23N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):92A
关断延迟时间:60ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:135µJ
开启延迟时间:17ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:49nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,12A
导通损耗:115µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":30000,"MI+":6000}
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT125N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:181W
阈值电压:2.5V
栅极电荷:49nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:24A
类型:MOSFET
导通电阻:125mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGS23N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):92A
关断延迟时间:60ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:135µJ
开启延迟时间:17ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:49nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,12A
导通损耗:115µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGS23N60UFDTU
工作温度:-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:49nC
关断损耗:135µJ
导通损耗:115µJ
关断延迟时间:60ns
集电极脉冲电流(Icm):92A
集电极电流(Ic):2.6V@15V,12A
开启延迟时间:17ns
反向恢复时间:60ns
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGS23N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):92A
关断延迟时间:60ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:135µJ
开启延迟时间:17ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:49nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,12A
导通损耗:115µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGS23N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):92A
关断延迟时间:60ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:135µJ
开启延迟时间:17ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:49nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,12A
导通损耗:115µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGS23N60UFDTU
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):92A
关断延迟时间:60ns
反向恢复时间:60ns
关断损耗:135µJ
开启延迟时间:17ns
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:49nC
集电极电流(Ic):2.6V@15V,12A
导通损耗:115µJ
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):SGS23N60UFDTU
工作温度:-55℃ ~ 150℃
集电极截止电流(Ices):600V
栅极电荷:49nC
关断损耗:135µJ
导通损耗:115µJ
关断延迟时间:60ns
集电极脉冲电流(Icm):92A
集电极电流(Ic):2.6V@15V,12A
开启延迟时间:17ns
反向恢复时间:60ns
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存: