品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":1851}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06L-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":3200,"04+":16828}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB27N06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:88.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@13.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD14AN06LA0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:9.5A€50A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06L-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD14AN06LA0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:9.5A€50A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":1851}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06L-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":3200,"04+":16828}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB27N06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:88.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@13.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD14AN06LA0-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2810pF@25V
连续漏极电流:9.5A€50A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":3200,"04+":16828}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB27N06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:88.2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@13.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB27N06LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:88.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@13.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06L-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD24N06LT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: