品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€273W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9281pF@25V
连续漏极电流:51A€430A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4949}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4949}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":612,"22+":5679}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€273W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9281pF@25V
连续漏极电流:51A€430A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4949}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BXL4004-1E
工作温度:150℃
功率:75W
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2750,"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€273W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9281pF@25V
连续漏极电流:51A€430A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTSC1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€250W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":612,"22+":5679}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€273W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9281pF@25V
连续漏极电流:51A€430A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4949}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N04CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.9W€205W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9230pF@25V
连续漏极电流:65A€420A
类型:N沟道
导通电阻:0.67mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA28N50
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:28.4A
类型:N沟道
导通电阻:160mΩ@14.2A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTSC1D5N08MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€250W
阈值电压:4V@650µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10400pF@40V
连续漏极电流:33A€287A
类型:N沟道
导通电阻:1.56mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: