品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD20N06TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:16.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,8.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:1.335nF@75V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@75V
导通电阻:46mΩ@10V,4.4A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC655BN
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:6.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@10V,6.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N90
工作温度:-55℃~+150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:2.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD20N06TM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€38W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:16.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,8.4A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: