采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000，"22+"：1572}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：6000，"22+"：1572}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2490 pF @ 40 V
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3572
功率：2.5W（Ta），78W（Tc）
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：40 nC @ 10 V
导通电阻：16.5 毫欧 @ 8.8A，10V
漏源电压：80V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
类型：N 通道
连续漏极电流：8.8A（Ta），22A（Tc）
输入电容：2490 pF @ 40 V
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
输入电容：2850 pF @ 30 V
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：40 nC @ 10 V
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
漏源电压：60V
类型：N 通道
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
