品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.14nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,14A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.14nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,14A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@2.3mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@2.3mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@2.3mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":340,"21+":647}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@2.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4.5V@2.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.14nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,14A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€88.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:17A€88.6A
类型:P沟道
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA36P15
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.32nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@2.3mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA36P15
工作温度:-55℃~+175℃
功率:294W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3.32nF@25V
连续漏极电流:36A
类型:1个P沟道
导通电阻:90mΩ@18A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":340,"21+":647}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@2.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50F
栅极电荷:105nC@10V
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
导通电阻:175mΩ@14A,10V
功率:310W
包装方式:管件
输入电容:5387pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4.5V@2.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFWS015P03P8ZTAG
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
功率:3.2W€88.2W
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
ECCN:EAR99
输入电容:2706pF@15V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:17A€88.6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":340,"21+":647}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@2.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":340,"21+":647}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@2.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA28N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:5.14nF@25V
连续漏极电流:28A
类型:1个N沟道
导通电阻:155mΩ@10V,14A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":340,"21+":647}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP220N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:4.5V@2.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4560pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@11.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: