品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€118W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:11A€61A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€118W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:11A€61A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€118W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:11A€61A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€118W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:11A€61A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€118W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:11A€61A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H800NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€118W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:11A€61A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP053N08B-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:146W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5960pF@40V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@75A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA24N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:270W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H800NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5530pF@40V
连续漏极电流:28A€203A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5117PLT4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.1W€118W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:11A€61A
类型:P沟道
导通电阻:16mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: