采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH085N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@4.6mA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10825pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@23A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH085N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@4.6mA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10825pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@23A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH085N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：4.5V@4.6mA
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10825pF@100V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@23A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：110A
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH085N80-F155
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
类型：N沟道
阈值电压：4.5V@4.6mA
输入电容：10825pF@100V
包装方式：管件
连续漏极电流：46A
导通电阻：85mΩ@23A，10V
漏源电压：800V
栅极电荷：255nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB9503L-F085
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
输入电容：8320pF@20V
类型：P沟道
导通电阻：2.6mΩ@80A，10V
ECCN：EAR99
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：255nC@10V
功率：333W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
