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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 53nC@10V
    当前匹配商品:70+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB7D3N15MC 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB7D3N15MC 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB7D3N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€166W

    阈值电压:4.5V@342µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@75V

    连续漏极电流:15.2A€101A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@62A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB7D3N15MC 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB7D3N15MC 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB7D3N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€166W

    阈值电压:4.5V@342µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@75V

    连续漏极电流:15.2A€101A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@62A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP7D3N15MC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP7D3N15MC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP7D3N15MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€166W

    阈值电压:4.5V@342μA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4.25nF@75V

    连续漏极电流:12.1A€101A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@75V

    导通电阻:6.2mΩ@10V,62A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP7D3N15MC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP7D3N15MC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP7D3N15MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€166W

    阈值电压:4.5V@342μA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4.25nF@75V

    连续漏极电流:12.1A€101A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@75V

    导通电阻:6.2mΩ@10V,62A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ-F127-L701 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ-F127-L701 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ-F127-L701

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP7D3N15MC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP7D3N15MC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP7D3N15MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€166W

    阈值电压:4.5V@342μA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4.25nF@75V

    连续漏极电流:12.1A€101A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@75V

    导通电阻:6.2mΩ@10V,62A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订93个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订93个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N20C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N20C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N20C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB7D3N15MC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB7D3N15MC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB7D3N15MC

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€166W

    阈值电压:4.5V@342µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4250pF@75V

    连续漏极电流:15.2A€101A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@62A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N20C 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N20C 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N20C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N20C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF19N20C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF19N20C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP19N20C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP19N20C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP19N20C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP7D3N15MC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP7D3N15MC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP7D3N15MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€166W

    阈值电压:4.5V@342μA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4.25nF@75V

    连续漏极电流:12.1A€101A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@75V

    导通电阻:6.2mΩ@10V,62A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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