品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB7D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€166W
阈值电压:4.5V@342µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@75V
连续漏极电流:15.2A€101A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@62A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":384,"22+":2423}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB7D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€166W
阈值电压:4.5V@342µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@75V
连续漏极电流:15.2A€101A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@62A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":384,"22+":2423}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ-F127-L701
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":384,"22+":2423}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":4000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@9.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB7D3N15MC
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€166W
阈值电压:4.5V@342µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@75V
连续漏极电流:15.2A€101A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@62A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@9.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF19N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:43W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@9.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP19N20C
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@9.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP7D3N15MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:2.4W€166W
阈值电压:4.5V@342μA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.25nF@75V
连续漏极电流:12.1A€101A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@75V
导通电阻:6.2mΩ@10V,62A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB3652
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2880pF@25V
连续漏极电流:9A€61A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@61A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: