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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
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类型：N沟道
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阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：182pF@25V
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类型：N沟道
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
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输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
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导通电阻：155mΩ@1A，10V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：1.7A
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连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
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连续漏极电流：1.7A
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连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：5.1nC@10V
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：155mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
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输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
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输入电容：182pF@25V
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类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
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