品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS115P10M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW€41W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTTFS115P10M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW€41W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
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类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
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输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
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行业应用:工业,汽车
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功率:900mW€41W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
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连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
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连续漏极电流:2A€13A
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW€41W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTTFS115P10M5
功率:900mW€41W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:9.2nC@10V
阈值电压:4V@45µA
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:637pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):NTTFS115P10M5
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW€41W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:637pF@50V
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
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连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
漏源电压:100V
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功率:900mW€41W
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工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:9.2nC@10V
阈值电压:4V@45µA
连续漏极电流:2A€13A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@2.4A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:637pF@50V
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