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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2880，"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
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连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2120，"21+"：295，"MI+"：2711}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC30N20DZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@4.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：2880，"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C468NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€28W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：12A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMYS011N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€28W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：7.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：13A€35A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
