采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：204675}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3360-TL-H
工作温度：150℃
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：P沟道
导通电阻：303mΩ@800mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：2.2nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：10Ω@5V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
