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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5000，"08+"：15230，"10+"：47314}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：37500，"04+"：2399，"08+"：4610，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：284431，"11+"：2622，"12+"：12500，"16+"：144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：284431，"11+"：2622，"12+"：12500，"16+"：144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：37500，"04+"：2399，"08+"：4610，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：97500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：2466}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD3P102R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：97500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5000，"08+"：15230，"10+"：47314}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD3P102R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD3P102R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：2466}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMSD3P102R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@16V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
