采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202ET120
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4585pF@60V
连续漏极电流：13.5A€102A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8333L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4545pF@20V
连续漏极电流：22A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@30V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@30V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€40W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4550pF@30V
连续漏极电流：13.5A€22A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@13.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202ET120
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4585pF@60V
连续漏极电流：13.5A€102A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8333L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4545pF@20V
连续漏极电流：22A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4250pF@60V
连续漏极电流：13.5A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS8333L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4545pF@20V
连续漏极电流：22A€76A
类型：N沟道
导通电阻：3.1mΩ@22A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H818NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€140W
阈值电压：2V@190µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3844pF@40V
连续漏极电流：22A€135A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86202ET120
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€187W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4585pF@60V
连续漏极电流：13.5A€102A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13.5A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H801NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H801NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4120pF@40V
连续漏极电流：23A€157A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
