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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2637}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
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输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：237.5W
阈值电压：2.9V@479μA
栅极电荷：121nC@10V
输入电容：7.675nF@40V
连续漏极电流：241.3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@40V
导通电阻：1.29mΩ@10V，80A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
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功率：4.4W€237.5W
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栅极电荷：121nC@10V
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输入电容：7675pF@40V
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~+175℃
功率：237.5W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：241.3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：41pF@40V
导通电阻：1.29mΩ@10V，80A
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
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连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
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规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2637}
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规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5040，"23+"：4236，"MI+"：2000}
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规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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功率：4.4W€237.5W
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输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
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连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
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漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
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栅极电荷：121nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
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类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：33A€241.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：121nC@10V
连续漏极电流：33A€241.3A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
栅极电荷：121nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
连续漏极电流：29A€203A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：121nC@10V
连续漏极电流：33A€241.3A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBLS1D7N08H
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：121nC@10V
连续漏极电流：33A€241.3A
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
功率：4.4W€237.5W
阈值电压：4V@479µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBLS1D7N08H
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7675pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
栅极电荷：121nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：1.7mΩ@80A，10V
功率：3.5W€167W
阈值电压：4V@479µA
连续漏极电流：29A€203A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
