采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€200W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVMFS5A160PLZT1G
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阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：160nC@10V
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输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：160nC@10V
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输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：2.6V@1mA
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连续漏极电流：15A€100A
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导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：15A€100A
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功率：3.8W€200W
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导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
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类型：P沟道
栅极电荷：160nC@10V
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输入电容：7700pF@20V
连续漏极电流：15A€100A
类型：P沟道
导通电阻：7.7mΩ@50A，10V
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