采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
导通电阻：20mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
连续漏极电流：8.5A€41A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
导通电阻：20mΩ@20A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
连续漏极电流：8.5A€41A
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD6824NLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€90W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3468pF@25V
连续漏极电流：8.5A€41A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB070AN06A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：175W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：15A€80A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
