品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:50A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.82mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVBLS001N06C
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€284W
阈值电压:4V@562µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11575pF@30V
连续漏极电流:51A€422A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":647,"22+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLTT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:50A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBLS001N06C
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€284W
阈值电压:4V@562µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11575pF@30V
连续漏极电流:51A€422A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:50A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.82mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":647,"22+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":647,"22+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":647,"22+":21000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFSC0D9N04CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8500pF@20V
连续漏极电流:313A
类型:N沟道
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:50A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.82mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBLS001N06C
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.2W€284W
阈值电压:4V@562µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11575pF@30V
连续漏极电流:51A€422A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:50A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.82mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:50A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.82mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C410NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:50A€330A
类型:N沟道
导通电阻:0.82mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C410NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:143nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8862pF@25V
连续漏极电流:46A€302A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: