品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":202}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4065-DL-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86561-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0110N60
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3140}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4065-DL-1EX
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0110N60
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0110N60
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86561-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0110N60
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86561-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4065-DL-1EX
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4065-DL-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0110N60
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86561-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86561-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3150,"23+":151200,"9999":204,"MI+":4950}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA032N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:15160pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0110N60
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0110N60
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: