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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
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连续漏极电流：25A
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功率：75W
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
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类型：P沟道
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功率：75W
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栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
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类型：P沟道
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栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
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类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：20nC@5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
输入电容：1260pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：80mΩ@25A，5V
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD25P03LT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：20nC@5V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@250µA
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
输入电容：1260pF@25V
ECCN：EAR99
导通电阻：80mΩ@25A，5V
功率：75W
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：75W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@25A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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