品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@50V
连续漏极电流:7.4A€22A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@50V
连续漏极电流:7.4A€22A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2608}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC7572S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€52W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2705pF@13V
连续漏极电流:22.5A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.15mΩ@22.5A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000,"18+":549,"19+":870,"17+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7676
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2960pF@15V
连续漏极电流:16A€28A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"01+":2856,"13+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP203-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@10V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@38A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":92500,"17+":12}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6B05NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€138W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@50V
连续漏极电流:16A€104A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2699,"22+":2692,"MI+":2941}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3135pF@50V
连续漏极电流:14.5A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3135pF@50V
连续漏极电流:14.5A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@50V
连续漏极电流:7.4A€22A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1675,"23+":12658}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2699,"22+":2692,"MI+":2941}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3135pF@50V
连续漏极电流:14.5A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTPF125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP125N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:2.2nF@400V
连续漏极电流:24A
类型:1个N沟道
导通电阻:108mΩ@10V,12A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2680pF@50V
连续漏极电流:7.4A€22A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3135pF@50V
连续漏极电流:14.5A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3135pF@50V
连续漏极电流:14.5A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL125N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4V@2.1mA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2200pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":721}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3707-1E
工作温度:150℃
功率:2W€25W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":163717,"23+":30000,"MI+":14500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3135pF@50V
连续漏极电流:14.5A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":9780}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€37W
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:袋
输入电容:850pF@30V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@3.25A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC007N08LCDC
工作温度:-55℃~150℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@130µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3070pF@40V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@22A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: