品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
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导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
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栅极电荷:5.8nC@10V
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输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
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输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
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导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
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栅极电荷:5.8nC@10V
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输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
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导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
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输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
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输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
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导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
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输入电容:330pF@25V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
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栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
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输入电容:330pF@25V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
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漏源电压:60V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
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导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
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阈值电压:2.2V@13µA
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栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
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销售单位:个
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工作温度:-55℃~175℃
功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.1A€21A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
阈值电压:2.2V@13µA
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.4W€24W
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.1A€21A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
阈值电压:2.2V@13µA
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.4W€24W
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.1A€21A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
阈值电压:2.2V@13µA
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.4W€24W
包装清单:商品主体 * 1
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栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
连续漏极电流:8.1A€21A
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:330pF@25V
阈值电压:2.2V@13µA
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.4W€24W
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):NVMFS5C680NLWFT1G
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功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
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功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
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功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
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功率:3.4W€24W
阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
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工作温度:-55℃~175℃
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阈值电压:2.2V@13µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
类型:N沟道
导通电阻:27.5mΩ@7.5A,10V
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规格型号(MPN):NVMFS5C680NLT1G
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输入电容:330pF@25V
连续漏极电流:8.1A€21A
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