品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
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类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
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漏源电压:60V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
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栅极电荷:29 nC @ 10 V
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导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
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ECCN:EAR99
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):FDD13AN06A0
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分类:Mosfet场效应管
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ECCN:EAR99
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规格型号(MPN):FDD13AN06A0
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ECCN:EAR99
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类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
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工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
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包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
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类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
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类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
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类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29 nC @ 10 V
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输入电容:1350 pF @ 25 V
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类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)
包装方式:卷带(TR)
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类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
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阈值电压:4V @ 250µA
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
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包装方式:卷带(TR)
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ECCN:EAR99
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
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ECCN:EAR99
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD13AN06A0
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:115W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:29 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350 pF @ 25 V
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类型:N 通道
导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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