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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8950，"22+"：33000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1H
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1H
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3461-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@20V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@170mA，4.5V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3461-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
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类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@170mA，4.5V
漏源电压：250V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3461-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
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栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@20V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@170mA，4.5V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
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输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
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输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
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输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：CPH3461-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@20V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：6.5Ω@170mA，4.5V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1H
功率：301mW
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连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
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输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
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类型：P沟道
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
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输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
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ECCN：EAR99
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输入电容：156pF@5V
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类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTA4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：301mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
连续漏极电流：760mA
类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTE4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：313mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：156pF@5V
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类型：P沟道
导通电阻：360mΩ@350mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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