品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6337-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3348-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":151765}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1H
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
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漏源电压:20V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6337-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
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输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
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类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
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类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
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输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
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连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
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输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1331-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1331-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1331-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":9650,"15+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1331-TL-H
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":20000}
销售单位:个
规格型号(MPN):SCH1331-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":21000,"14+":17950,"16+":15000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH6337-TL-E
工作温度:150℃
功率:1.6W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3348-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3348-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@6V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":7323,"08+":1037,"20+":24000,"22+":448000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZS3151PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:170mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:458pF@16V
连续漏极电流:860mA
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: