品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":80950,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL50T65SQDC
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:94.4ns
关断损耗:96µJ
开启延迟时间:17.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:131µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":80950,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL50T65SQDC
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:94.4ns
关断损耗:96µJ
开启延迟时间:17.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:131µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL50T65SQDC
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:94.4ns
关断损耗:96µJ
开启延迟时间:17.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:131µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":80950,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":80950,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
生产批次:{"22+":80950,"MI+":1800}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL50T65SQDC
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:94.4ns
关断损耗:96µJ
开启延迟时间:17.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:131µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):450psc
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
关断延迟时间:120ns
导通损耗:1.05mJ
集电极脉冲电流(Icm):200A
类型:沟槽型场截止
开启延迟时间:23ns
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
工作温度:-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices):650V
关断损耗:700µJ
栅极电荷:94nC
包装方式:管件
反向恢复时间:32ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL50T65SQDC
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:94.4ns
关断损耗:96µJ
开启延迟时间:17.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:131µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL50T65SQDC
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:94.4ns
关断损耗:96µJ
开启延迟时间:17.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:131µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL50T65SQDC
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:94.4ns
关断损耗:96µJ
开启延迟时间:17.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:131µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:120ns
反向恢复时间:32ns
关断损耗:700µJ
开启延迟时间:23ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
导通损耗:1.05mJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):450psc
规格型号(MPN):FGHL50T65MQD
关断延迟时间:120ns
导通损耗:1.05mJ
集电极脉冲电流(Icm):200A
类型:沟槽型场截止
开启延迟时间:23ns
集电极电流(Ic):1.8V@15V,50A
工作温度:-55℃ ~ 175℃
集电极截止电流(Ices):650V
关断损耗:700µJ
栅极电荷:94nC
包装方式:管件
反向恢复时间:32ns
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AFGHL50T65SQDC
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):200A
关断延迟时间:94.4ns
关断损耗:96µJ
开启延迟时间:17.6ns
集电极截止电流(Ices):650V
栅极电荷:94nC
类型:场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,50A
导通损耗:131µJ
工作温度:-55℃ ~ 175℃
包装清单:商品主体 * 1
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