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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 36nC@10V
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTWG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTWG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTWG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU 起订441个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65CYDTU 起订441个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":800}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876 起订727个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8876 起订727个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":848,"22+":2375}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8876

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@15V

    连续漏极电流:12.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@12.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"9999":40,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI8N60CTU 起订306个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI8N60CTU 起订306个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":985}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI8N60CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1255pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF7N65C 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":3676,"18+":9557,"20+":12408,"9999":40,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF7N65C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1245pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@3.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP15N40 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP15N40 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":609}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP15N40

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1750pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD620N60ZF 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD620N60ZF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@25V

    连续漏极电流:7.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQI8N60CTU 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQI8N60CTU 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":985}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQI8N60CTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€147W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1255pF@25V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@3.75A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":18195,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1635pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@21A,6V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":18195,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:144W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1635pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@21A,6V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3672 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3672

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:135W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1710pF@25V

    连续漏极电流:6.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86250 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86250

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2330pF@75V

    连续漏极电流:6.7A€20A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS4C06NTAG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS4C06NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW€31W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3366pF@15V

    连续漏极电流:11A€67A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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