品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2715pF@75V
连续漏极电流:9.6A€35A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86200
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2715pF@75V
连续漏极电流:9.6A€35A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9.6A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86201
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2735pF@60V
连续漏极电流:11.6A€49A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9409-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3130pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS011N15MC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€147W
阈值电压:4.5V@194µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3592pF@75V
连续漏极电流:10.7A€78A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":620,"21+":186,"22+":4476}
销售单位:个
规格型号(MPN):HUFA76429D3ST-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP125N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:181W
阈值电压:4.5V@2.4mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1940pF@400V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6H818NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS6H818NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€136W
阈值电压:4V@190µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:20A€123A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS007N08LC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€92.6W
阈值电压:2.5V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@40V
连续漏极电流:14A€84A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@21A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76629D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1285pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:52mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: