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    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 46nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:100+
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS007N08LC

    连续漏极电流:14A€84A

    功率:2.5W€92.6W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:2.5V@120µA

    导通电阻:6.7mΩ@21A,10V

    输入电容:3100pF@40V

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A€35A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2715pF@75V

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订628个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订628个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":752,"22+":1878}

    规格型号(MPN):FDD5680

    功率:2.8W€60W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:8.5A

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1835pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":2723728,"MI+":12000}

    规格型号(MPN):FDMA6676PZ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    功率:2.4W

    输入电容:2160pF@15V

    类型:P沟道

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A€35A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2715pF@75V

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS007N08LC

    连续漏极电流:14A€84A

    功率:2.5W€92.6W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:2.5V@120µA

    导通电阻:6.7mΩ@21A,10V

    输入电容:3100pF@40V

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS007N08LC

    连续漏极电流:14A€84A

    功率:2.5W€92.6W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:2.5V@120µA

    导通电阻:6.7mΩ@21A,10V

    输入电容:3100pF@40V

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS007N08LC

    连续漏极电流:14A€84A

    功率:2.5W€92.6W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    阈值电压:2.5V@120µA

    导通电阻:6.7mΩ@21A,10V

    输入电容:3100pF@40V

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A€35A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2715pF@75V

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订938个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA6676PZ 起订938个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA6676PZ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:13.5mΩ@11A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:11A

    功率:2.4W

    输入电容:2160pF@15V

    类型:P沟道

    栅极电荷:46nC@10V

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A€35A

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:2715pF@75V

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    漏源电压:150V

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订9000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订9000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    输入电容:2045pF@15V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:8.5A€18A

    栅极电荷:46nC@10V

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):NDF08N50ZH

    漏源电压:500V

    功率:35W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1095pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@3.6A,10V

    连续漏极电流:8.5A

    包装方式:管件

    栅极电荷:46nC@10V

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):NDF08N50ZH

    漏源电压:500V

    功率:35W

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1095pF@25V

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@3.6A,10V

    连续漏极电流:8.5A

    包装方式:管件

    栅极电荷:46nC@10V

    阈值电压:4.5V@100µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"19+":2428}

    规格型号(MPN):FDD5680

    功率:2.8W€60W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:8.5A

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1835pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86201

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    类型:N沟道

    输入电容:2735pF@60V

    导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:120V

    连续漏极电流:11.6A€49A

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    输入电容:2045pF@15V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:8.5A€18A

    栅极电荷:46nC@10V

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5680

    功率:2.8W€60W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:8.5A

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:1835pF@30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312S 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS0312S 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS0312S

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.9mΩ@18A,10V

    类型:N沟道

    阈值电压:3V@1mA

    输入电容:2820pF@15V

    连续漏极电流:19A€42A

    栅极电荷:46nC@10V

    ECCN:EAR99

    功率:2.5W€46W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC4435BZ 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC4435BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2045pF@15V

    连续漏极电流:8.5A€18A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2715pF@75V

    连续漏极电流:9.6A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86201

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2735pF@60V

    连续漏极电流:11.6A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86200 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86200

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2715pF@75V

    连续漏极电流:9.6A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@9.6A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86201

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2735pF@60V

    连续漏极电流:11.6A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86201 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86201

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2735pF@60V

    连续漏极电流:11.6A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订713个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订713个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF08N50ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1095pF@25V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1835pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1835pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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