品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":75000,"22+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€25.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€25.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G-001
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":33000,"19+":6000,"20+":1500,"21+":513300,"22+":270000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NAT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€25.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2410,"21+":16262}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€25.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NAT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€25.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C08NTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C08NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9A€52A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":33000,"19+":6000,"20+":1500,"21+":513300,"22+":270000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C027NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@15V
连续漏极电流:16.4A€52A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: