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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：355000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1500，"10+"：45825，"11+"：195900}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
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连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1500，"10+"：45825，"11+"：195900}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-35G
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功率：1.27W€36.6W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：8475}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
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输入电容：990pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：28813，"08+"：4320，"10+"：65000，"11+"：41442，"16+"：22500，"12+"：2500，"13+"：11350，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：8475}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-1G
工作温度：-55℃~175℃
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：28813，"08+"：4320，"10+"：65000，"11+"：41442，"16+"：22500，"12+"：2500，"13+"：11350，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：355000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
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输入电容：990pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
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连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863NAT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
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输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4863N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€36.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：990pF@12V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"14+"：28813，"08+"：4320，"10+"：65000，"11+"：41442，"16+"：22500，"12+"：2500，"13+"：11350，"15+"：5000}
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9.2A€49A
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漏源电压：25V
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
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