品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":766}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4177PR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@24V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4177PR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@24V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4177PR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@24V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4177PR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@24V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86322
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3000pF@50V
连续漏极电流:13A€60A
类型:N沟道
导通电阻:7.65mΩ@13A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS005N10MCLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€125W
阈值电压:3V@192µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4100pF@50V
连续漏极电流:16A€105A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@34A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP113-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP113-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":30,"18+":2700,"22+":8542}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH170N60
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2860pF@380V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP113-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP113-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:29.5mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4177PR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@24V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@11.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS08N004C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS004N08C
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@40V
连续漏极电流:126A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@44A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: