首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    栅极电荷
    行业应用
    品牌: ON SEMI
    栅极电荷: 70nC@4.5V
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2460,"22+":845}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2460,"22+":845}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订466个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订466个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2460,"22+":845}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    输入电容:3640pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:70nC@4.5V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    输入电容:3640pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:70nC@4.5V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    输入电容:3640pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:70nC@4.5V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    输入电容:3640pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:70nC@4.5V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    漏源电压:20V

    功率:1.6W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2460,"22+":845}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS10P02R2G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS10P02R2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:70nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3640pF@16V

    连续漏极电流:8.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧